展锐唐古拉品牌下的2种5G芯片T770和T760采用6nmeUV技术，为什么强调EUV？
只有引进EUV技术的6nm才是真正的6nm，该技术将伴随未来可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm。
自1965年英特尔创始人之一戈登摩尔提出摩尔法则以来，半导体领域一直遵循价格不变时集成电路可容纳的部件数量，每18~24个月增加一倍，性能也增加一倍的规则。技术人员优艾设计网_设计百科为了缩小线宽，增大芯片容量，一直在研发新的IC制造技术。
EUV雕刻机的出现是重大突破。实现了高速、低耗电、高集成的芯片生产工艺，满足了5G高性能、超带宽、低延迟和大量连接的需求。
照片来源:台积电陈平在紫光展锐2020春季在线发表会演讲
光刻技术基本上是投影系统，投影光，穿透印有电路的光罩，利用光学原理将图形涂在涂有感光剂的硅晶片上，曝光，未曝光的部分被蚀刻去除后，图案出现。
在光刻技术中，提升分辨率的途径主要有三个：一是增加光学系统数值孔径;二是减小曝光光源波长;三是优化系统。EUV与DUV相比，将193nm波长的短波紫外线更换为13.5nm的极紫外线，在雕刻精密图案方面当然具有优势，可以减少技术步骤，提高良率。
EUV技术的究竟难在哪儿？
光源产生难:
193nm紫外线的光子能量为6.4eV(电子伏特，能量单位)，EUV的光子能量高达为91~93eV!这种能量的光子用一般的方法是射不出来的，激光器或灯泡都不行，它的生成方法光是听起来就非常BT，这需要将锡熔化成液态，然后一滴一滴地滴落，在滴落过程中用激光轰击锡珠，让其化为等离子态，才能释放极紫外光。这样的光源用久了就会在里面溅很多锡微粒，必须要定时清洁才行。
图片来源：Cymer: Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography Light Sources
发光过程难:
EUV不仅能量高，对物质的影响也极其强大，它们可以被几乎任何原子吸收，所以传播路径必须是完全的真空。为了将EUV集中在适当的形状上，只能使用6面凹面镜构成的系统EUV/X射线变焦系统(EUV/X-Rayfocusingtystems)。
有效功率转化率低:
即使是镜子，每个镜子也吸收30%的EUV，整个系统中有4个镜子用于发光系统，6个镜子用于焦点系统。EUV光罩本身也是额外的镜子，形成了11次反射。在这个过程中，只有约2%的EUV来到晶圆。效率低，所需的电力也大幅度上升。ArF光源平均功率为45W，EUV平均光源功率为500w！
成本过高:
最先进的EUV雕刻机售价达到1亿欧元，DUV雕刻机价格超过2倍，购买后需要多台747架飞机运输系统。
另外，EUV雕刻机必须在超清洁的环境下运转，灰尘稍微落入盖子会带来严重的良品率问题，对材料技术、流程控制、缺陷检查等环节提出了更高的要求。最重要的是EUV雕刻机也非常耗电，消耗电力使整个环境成为真空(避免灰尘)，通过更高的电力也弥补了自己能源转换效率低下的问题，设备运转后每小时至少需要150度的电力。除此之外，二次电子对光刻胶的曝光、光化学反应释放气体、EUV对光罩的侵蚀等各种问题都必须逐一解决。因此，EUV的产量长期极低，以前公开的资料中，EUV的产量每天只有1500张。
展锐唐古拉T770与T760
结合以上知识点，采用6nm起EUV工艺技术的展锐唐古拉T770与T760，真正闪耀着高科技、高品质的辉煌~
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