台积电EUV光刻工艺产能突破1000片晶圆/天？

现在半导体制造工艺已经到了14nm的节点，10nm以后的制造工艺难度越来越大，需要EUV或者紫外光刻等新一代半导体制造设备。在EUV工艺上，原本的龙头英特尔实力雄厚，多次表示即使没有EUV设备，他们也会用7nm工艺制造晶体管。然而，TSMC现在把赌注压在了EUV身上，现在和ASML一起，EUV设备的日生产能力已经提高到了1000片晶圆，离实际使用已经不远了。

TSMC与ASML合作，将EUV设备的产能提高到1000片/天。

TSMC计划在2016年启动10纳米节点的EUV技术，所以他们现在对EUV技术最感兴趣。然而，EUV设备目前仍是一项新技术，其生产能力无法提高。此前，IBM和ASML创下了每天处理637片晶圆的纪录。在TSMC和优艾设计网_Photoshop交流EUV的努力下，EUV光刻机设备在90W光源下实现了每天1022片晶圆的加工速度。

1000片/天的产能是EUV工艺的新里程碑，EUV设备只有达到1500片/天的产能才会有经济效益，这也是ASML和EUV的下一个目标。目前1000片/天的产能由ASML公司NXE:3300B设备实现，其升级型号NXE:3350B将达到1500片/天的产能。

目前，TMSC已经推出了至少四套EUV光刻设备，并计划在2016年底前尽快在10纳米工艺上启动EUV工艺。然而，ASML对此并不十分乐观，至少要到2018年才会广泛使用。即使EUV技术能在2016年底实现，也只能用在一些小而简单的芯片上，比如逻辑电路、DRAM和NAND闪存等。复杂的SoC处理器必须等待。