TSMC情何以堪，三星公布首个10nm FinFET技术？

三星在14nm FinFET工艺上实现了漂亮的转变。虽然TSMC的16纳米FinFET工艺无法量产，但三星在去年底已经量产了14纳米FinFET工艺，还获得了苹果和高通等公司的订单。不出意外，下月初发布的Galaxy S6手机将搭载搭载14nm技术的Exynos 7420处理器。三星不仅在14nm工艺上领先，而且在不久的将来在10nm FinFET工艺上也领先。

在本周的会议上，三星半导体业务总裁金纪南在主题报告中介绍了三星正在研发的10纳米技术，这是全球首个为移动芯片开发的10纳米FinFET技术。不过，他并未提及10纳米FinFET工艺的具体细节，预计将在2016年底至2017年间问世，进展与英特尔10纳米3D晶体管工艺类似。

此外，10纳米工艺后，将进入7纳米和5纳米的节点。随着晶体管越来越薄，金纪南表示，在7nm之后，人们应该使用新一代的晶体管结构，比如GAA FinFET(栅极全能)技术，它将拥有2-4个等效栅极。它不仅可以由硅基材料制成，还可以由铟镓砷材料优艾设计网_PS交流制成。