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索尼美光公布内存最新成果,可取代DDR类内存?

优艾设计网 https://www.uibq.com 2023-03-07 15:40 出处:网络 作者:在线设计
目前,业界正在开发一种新型的存储芯片,即名为ReRAM的电阻式存储器。这种存储芯片不仅具有DRAM级别的读写速度,而且可以像NAND闪存一样断电后存储数据,可以说是集二者之长。现在,ReRAM芯片的开发已经初见成效。近

目前,业界正在开发一种新型的存储芯片,即名为ReRAM的电阻式存储器。这种存储芯片不仅具有DRAM级别的读写速度,而且可以像NAND闪存一样断电后存储数据,可以说是集二者之长。现在,ReRAM芯片的开发已经初见成效。近日,索尼和美光联合公布最新研究成果,称其试制产品的性能与理论数据非常接近。

索尼美光联合宣布的是一款16Gb(2GB)的ReRAM芯片,据说是基于27nm CMOS技术,可以用来替代现有的DDR SDRAM芯片,可以用在移动设备或者PC上。从公布的信息来看,这款芯片的实际性能为读取900MB/s、写入180MB/s,非常接近其读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能,具优艾设计网_设计百科有很高的量产和商业化可能性。

另外,从两家公司公布的成品来看,这款ReRAM芯片应该是索尼早期研究成果的延续。毕竟索尼早在2011年就公布了小容量样品,而美光早前的研发工作则集中在相变存储芯片PRAM上,目前的ReRAM产品应该是“索尼开发”和“美光制造”的联合成果。

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