三星GALAXY S6将采用UFS闪存 速度快三倍？

最近有很多关于三星GALAXY S6的传闻。消息传出后，研发；该机d码为“Project Zero”，可能配备双曲面侧屏，韩国媒体etnews近日报道称，三星将在智能旗舰上首次使用通用闪存(UFS)芯片，其主要特点是传输速度更快、功耗更低。据悉，三星智能旗舰将于明年发布，但规格尚未完成。由于GALAXY S6将是三星明年的旗舰产品，这也意味着它有望成为首款搭载UFS芯片的智能机型。

配备UFS闪存

据韩国媒体etnews援引三星内部人士的透露，三星搭载UFS芯片的智能旗舰将于明年亮相，但规格尚未完成。与此同时，三星还计划在智能手机和平板电脑上逐步用UFS取代传统的SD卡和Micro SD存储卡，包括小米在内的智能手机厂商可能也会效仿，推出搭载UFS通用闪存的旗舰机型。由于三星GALAXY S6将是三星明年推出的旗舰机型，这也意味着它将成为首款搭载UFS通用闪存的智能旗舰。

UFS通用闪存是一种新的存储标准。将固态硬盘的高速传输与eMMC的低功耗相结合，不仅可以提供更快的传输速度，还可以降低功耗。目前eMMC闪存最高传输速率为400MB/s，而UFS闪存快了3倍，达到1.2 GB/s，同时在功耗方面，UFS闪存理论上只有eMMC 5.0闪存的一半左右。

S6从零开始

此前，研发；三星GALAXY S6的d码Project Zero已经在网上曝光，通过的概念似乎意味着“优艾设计网_电脑技术从零开始”。从目前披露的信息来看，三星确实准备在下一代GALAXY S系列旗舰上采用全新设计。例如，根据科技公司高级分析师Jerry Kang的说法，三星GALAXY S6的两面都有望使用来自的曲面屏幕。同时，该分析师还表示，三星已经可以在Note Edge上使用两侧的曲面屏幕，但三星高管压制了这一想法，并表示“等待”。

此外，传闻三星GALAXY S6搭载2K分辨率的触摸屏，将采用博通全新的BCM4773芯片，将GPS导航与其他传感器集成，不仅可以节省功耗，还能为主板节省更多空间。至于其他相关配置，三星GALAXY S6也将全面升级，比如前置镜头将升级到500万像素，主摄在弱光环境下的拍照效果将得到提升。但处理器的配置遵循以往的双处理器策略，全球版将搭载全新的Exynos 7420处理器，并可能搭载新研发的LTE基带芯片。某些特定地区的版本将是64位Snapdragon 810处理器。

继续采用3GB内存

不过三星GALAXY S6并不打算配备4GB内存，而是会继续使用3GB的内存容量，因为这样的配置足以处理所有任务。根据SamMobile此前曝光的信息，该机在欧美市场的型号为SM-G920，针对市场的不同手机型号的最后一位数字和字母会略有变化。