真14nm工艺：显微镜下的intel Broadwell处理器？

今年8月，英特尔正式宣布采用14nm工艺和Broadwell架构的酷睿M处理器。目前，联想、华硕等笔记本厂商都推出了基于酷睿M处理器的轻薄笔记本。擅长芯片级分析的Chipworks最近又以这些笔记本上的Core M处理为例进行了一次专业分析。

详细的分析仍在测试中。以下是Chipworks的初步工作成果。先来看看英特尔14nm工艺的概况。

这张图放大了，所以有点模糊，但是从它们标出来的横线，我们还是可以数出10个栅极间距，长度为699nm，平均间距为69.9nm，与下图中英特尔官方公布的70nm栅极间距一致。

英特尔正式宣布，栅极间距为70纳米。

这张图中有20个鳍，优艾设计网_设计客总长度为843nm，平均间距为42nm，这也与英特尔官方的说法一致。

让我们看一下横截面的剖视图。英特尔声称，自65纳米工艺以来，一直使用顶部金属层。有13个金属层和一个MIM帽成型层。

让我们看看边缘。这里没有金属层或者MIM-cap层，所以我们可以统计12层的横截面。

此前，在IBM 22nm工艺的Power8处理器上看到了12层金属，英特尔最新一代产品中使用了9层，BayTrai处理器上使用了11层。

Intell公布的互连门间距为52nm，但这里显示的是54nm，可能会有一些误差。

他们还没有详细的TEM数据，所以看不清楚晶体管或鳍片，但英特尔官方给出了14nm 3D晶体管的图片，如下图所示。

从图片上看，与22nm工艺相比，英特尔的14nm晶体管明显更小，其fin也有所提升。栅极金属看起来类似于22纳米，早期工艺中也使用了钨栅极填充。(这应该是金属栅极技术的第四次升级)

Chipworks的详细分析即将发布，但他们的报告是免费的，适合企业用户学习。